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CSD19532KTTT相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • CSD19532KTTT

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Texas Instruments
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-263-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:100 V
  • Id-连续漏极电流:200 A
  • Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2.6 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:44 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:250 W
  • 配置:Single
  • 商标名:NexFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:19.7 mm
  • 长度:9.25 mm
  • 产品:Power MOSFET
  • 系列:CSD19532KTT
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 类型:N-Channel MOSFET
  • 宽度:10.26 mm
  • 商标:Texas Instruments
  • 下降时间:2 ns
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:3 ns
  • 工厂包装数量:50
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:14 ns
  • 典型接通延迟时间:9 ns
  • 单位重量:2 g

其它信息

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